Energy Environment Evolution

デバイスプロセス加工

LEDのデバイスプロセス技術を軸に据えた電極形成プロセスや、実装プロセスの加工ノウハウを有しております。
LEDやLD,FETなどのデバイス作製等の一貫加工から、エッチングや電極・メタル形成等、各工程個別での加工も承ります。

様々な用途に合わせた加工プロセスと事例

加工事例①LEDデバイス作製とその評価

LEDやLD・フォトセンサといった層構造が形成されたウエハに、anode・cathode電極の形成、および、素子(チップ)化・実装までの試作加工ができます。
LEDにおいては、紫外領域(AlGaN系)から可視領域(GaInN系)まで、幅広い発光波長を有するウエハに加工実績があり、用途・目的に対応した電極パターンの設計・作製に対応いたします。
オンウエハプロセス後や実装後、それぞれで特性評価も行えます。また、実装後は積分球を用いた絶対出力評価・配光特性評価も可能です。

■LEDデバイス作製のプロセス

一般的な横伝導型LEDのモジュール作製までのプロセスです。 

p型層活性化処理
n層露出
コンタクト電極形成
Pad電極形成
ウエハ薄化
デバイスチップ化
実装

加工事例②オーミック電極形成プロセスの受託加工

特定の半導体層に対して、良好な電極形成プロセスの開発を承ります。
オーミックコンタクトを前提としながら、光学的な特性(高透過率・高反射率)を付与させることも可能です。
また、TLM(Transmission Line Model)法や、紫外可視光光度計を用いて上記評価も実施いたします。
そのほか半導体層の作製もMOCVDにて行っています。

■オーミック電極形成プロセスの受託加工の流れ

電極のデザインやオーミック電極形成の受託検討も請け負っております。

電極パターニング
フォトリソグラフィ
電極材料成膜
リフトオフ
アニール処理
IV特性評価
光学特性評価

加工事例③ウエハ及び薄膜のドライ・ウェットエッチング加工

半導体基板や基板上薄膜へのエッチング処理の試作検討を承っております。
パターニングの有無に関わらず、処理もいたします。
またご希望の仕様(エッチング対象・目標深さ・アスペクト等)に合わせて使用エッチャント・マスク構成などをご提案いたします。
レジストなど耐熱性に懸念がある材料に対しても、Heを直接対象物に当てながらエッチングを施すことによりエッチング表面の温度上昇を抑えながら加工を施すことが可能です。

■ウエハ及び薄膜のドライ・ウェットエッチング加工の流れ

一般的にはマスク形成プロセスを実施し、その後露出箇所のエッチングを施すことによって、段差を形成します。

エッチング用マスク形成
エッチング処理
段差・形状評価

■ウエハ・薄膜への加工実績素材

エッチング実績加工性
GaN,AlN
SiC
Sapphire
InP
AlInGaP
エッチング実績加工性
Si
石英(SiO2)
LiNbO3
ZrO2
ITO